NP22N055SHE-E1-AY
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NP22N055SHE-E1-AY |
---|---|
Κατασκευαστής | Renesas Electronics America Inc |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 55V 22A TO252 |
Πακέτο | TO-252 (MP-3ZK) |
Σε απόθεμα | 4336 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Label Change-All Devices 01/Dec/2022Mult Devices EOL 15/Jun/2018Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013NP22N055xLE |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Renesas Electronics America Inc.Έχουμε τα 4336 κομμάτια του Renesas Electronics America Inc NP22N055SHE-E1-AY σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252 (MP-3ZK) |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 55 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NP2100SAT3G
THYRISTOR 180V 50A DO214AAonsemi -
NP22N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 22A TO252Renesas Electronics America Inc -
NP22N055SLE-E2-AY
TRANSISTORRenesas Electronics America Inc -
NP22N055SLE(1)-E1-AY
TRANSISTORRenesas Electronics America Inc -
NP22N055HLE-S16-AY
NP22N055 - POWER FIELD-EFFECT TRNEC Corporation -
NP2100SAMCT3G
THYRISTOR 180V 150A DO214AAonsemi -
NP2300SBMCT3G
THYRISTOR 190V 250A DO214AAonsemi -
NP2300SCT3G
THYRISTOR 190V 100A DO214AAonsemi -
NP2100SBT3G
THYRISTOR 180V 80A DO214AAonsemi -
NP2300SAMCT3G
THYRISTOR 190V 150A DO214AAonsemi -
NP22N055ILE-E1-AY
N-CHANNEL POWER MOSFETRenesas Electronics America Inc -
NP2100SBMCT3G
THYRISTOR 180V 250A DO214AAonsemi -
NP22N055HLE-S16-AY
N-CHANNEL POWER MOSFETRenesas Electronics America Inc -
NP2100SCT3G
THYRISTOR 180V 100A DO214AAonsemi -
NP2300SCMCT3G
THYRISTOR 190V 400A DO214AAonsemi -
NP2300SAT3G
THYRISTOR 190V 50A DO214AAonsemi -
NP22N055HLE-AY
N-CHANNEL POWER MOSFETRenesas Electronics America Inc -
NP2300SBT3G
THYRISTOR 190V 80A DO214AAonsemi -
NP22N055SLE-E1-AZ
TRANSISTORRenesas Electronics America Inc -
NP2100SCMCT3G
THYRISTOR 180V 400A DO214AAonsemi