Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > NP80N055PDG-E1B-AY
Renesas Electronics America Inc

NP80N055PDG-E1B-AY

Αριθμός μέρους κατασκευαστή NP80N055PDG-E1B-AY
Κατασκευαστής Renesas Electronics America Inc
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 55V 80A TO263
Πακέτο TO-263
Σε απόθεμα 64626 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
161
$0.728
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Renesas Electronics America Inc.Έχουμε τα 64626 κομμάτια του Renesas Electronics America Inc NP80N055PDG-E1B-AY σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-263
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 135 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

NP80N055PDG-E1B-AY Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το NP80N055PDG-E1B-AY

Σχετικά μέρη για το NP80N055PDG-E1B-AY