Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RJK1003DPN-E0#T2
RJK1003DPN-E0#T2 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

RJK1003DPN-E0#T2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RJK1003DPN-E0#T2
Κατασκευαστής Renesas Electronics America Inc
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Πακέτο TO-220AB
Σε απόθεμα 6346 pcs
Φύλλο δεδομένων Mult Dev EOL 19/Dec/2019Label Change-All Devices 01/Dec/2022
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Renesas Electronics America Inc.Έχουμε τα 6346 κομμάτια του Renesas Electronics America Inc RJK1003DPN-E0#T2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220AB
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 59 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)

Συνιστώμενα προϊόντα

RJK1003DPN-E0#T2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων