SCT10N120H

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCT10N120H
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Πακέτο	H2Pak-2
Σε απόθεμα	4142 pcs
Φύλλο δεδομένων	SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 SCT10N120H obs 14/Jun/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 4142 κομμάτια του STMicroelectronics SCT10N120H σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	H2Pak-2
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max)	150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 200°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	22 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCT10