Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SCT50N120

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCT50N120
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Πακέτο	HiP247™
Σε απόθεμα	2990 pcs
Φύλλο δεδομένων	SCT50N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver Lead Frame Base Material 20/Dec/2021 SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$16.321	$15.054	$12.855

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 2990 κομμάτια του STMicroelectronics SCT50N120 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	HiP247™
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max)	318W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-247-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 200°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	122 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCT50