Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB4NK60Z-1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB4NK60Z-1
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Πακέτο	I2PAK
Σε απόθεμα	297571 pcs
Φύλλο δεδομένων	Box Label Chg 28/Jul/2016 Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013 STx4NK60Z(FP,-1)

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

2000
$0.151

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 297571 κομμάτια του STMicroelectronics STB4NK60Z-1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK
Σειρά	SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	70W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	26 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB4NK60