Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STF6N65M2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STF6N65M2
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Πακέτο	TO-220FP
Σε απόθεμα	161217 pcs
Φύλλο δεδομένων	Box Label Chg 28/Jul/2016 ST(F,P,U)6N65M2 Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.663	$0.594	$0.463	$0.383	$0.302	$0.282	$0.268	$0.258

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 161217 κομμάτια του STMicroelectronics STF6N65M2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220FP
Σειρά	MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	20W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3 Full Pack
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	226 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	9.8 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STF6