Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > STH80N10F7-2
STMicroelectronics

STH80N10F7-2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή STH80N10F7-2
Κατασκευαστής STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Πακέτο H2Pak-2
Σε απόθεμα 5327 pcs
Φύλλο δεδομένων STx80N10F7,STH80N10F7-2Mult Dev OBS 2/Apr/2020STripFET 21/Jul/2017
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 5327 κομμάτια του STMicroelectronics STH80N10F7-2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή H2Pak-2
Σειρά DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 110W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 45 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης STH80N

Συνιστώμενα προϊόντα

STH80N10F7-2 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων