Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STI6N80K5

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STI6N80K5
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Πακέτο	I2PAK (TO-262)
Σε απόθεμα	4472 pcs
Φύλλο δεδομένων	DK OBS NOTICE Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 IPD/15/9124 20/Mar/2015 ST(B,D,I,P)6N80K5

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 4472 κομμάτια του STMicroelectronics STI6N80K5 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Vgs (Max)	30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK (TO-262)
Σειρά	SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	85W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	255 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STI6