Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STP165N10F4

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STP165N10F4
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Πακέτο	TO-220
Σε απόθεμα	4035 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 New Molding Compound 13/Sep/2019 Traceability 06/Mar/2017 Mult Dev OBS 27/Sep/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 4035 κομμάτια του STMicroelectronics STP165N10F4 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220
Σειρά	DeepGATE™, STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 60A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	315W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	10500 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	180 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STP165