Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STP80N10F7

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STP80N10F7
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Πακέτο	TO-220
Σε απόθεμα	4952 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 New Molding Compound 13/Sep/2019 STF STP 11-Nov-2022 STx80N10F7,STH80N10F7-2

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 4952 κομμάτια του STMicroelectronics STP80N10F7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220
Σειρά	DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	110W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STP80