Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > G3S12002C
Global Power Technology-GPT

G3S12002C

Αριθμός μέρους κατασκευαστή G3S12002C
Κατασκευαστής Global Power Technology-GPT
Λεπτομερής περιγραφή DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252
Πακέτο TO-252
Σε απόθεμα 32121 pcs
Φύλλο δεδομένων G3S12002C
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10
$1.565 $1.406
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technology-GPT.Έχουμε τα 32121 κομμάτια του Global Power Technology-GPT G3S12002C σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν 1.7 V @ 2 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) 1200 V
Τεχνολογία SiC (Silicon Carbide) Schottky
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-252
Ταχύτητα No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά -
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) 0 ns
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Συσκευασία / υπόθεση TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο Cut Tape (CT)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση -55°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr 50 µA @ 1200 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) 8.8A
Χωρητικότητα @ VR, F 170pF @ 0V, 1MHz

Συνιστώμενα προϊόντα

G3S12002C Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το G3S12002C

Σχετικά μέρη για το G3S12002C