G4S12020P
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | G4S12020P |
---|---|
Κατασκευαστής | Global Power Technology-GPT |
Λεπτομερής περιγραφή | DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247AC |
Πακέτο | TO-247AC |
Σε απόθεμα | 3572 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 |
---|---|
$13.703 | $12.636 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technology-GPT.Έχουμε τα 3572 κομμάτια του Global Power Technology-GPT G4S12020P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 1.7 V @ 20 A |
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 1200 V |
Τεχνολογία | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-247AC |
Ταχύτητα | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Σειρά | - |
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | 0 ns |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-2 |
Πακέτο | Cut Tape (CT) |
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 175°C |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) | 64.5A |
Χωρητικότητα @ VR, F | 2600pF @ 0V, 1MHz |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
G4S6508Z
DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515QT
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S06520BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515AT
DIODE SIL CARB 650V 36A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06530BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S06516BT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PIGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515HT
DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220FGlobal Power Technology-GPT -
G4S12040BM
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-PGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020D
DIODE SIL CARB 1.2KV 75A TO263Global Power Technology-GPT -
G4S06515PT
DIODE SIL CARB 650V 39A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515CT
DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252Global Power Technology-GPT -
G4S06540PT
DIODE SIC 650V 81.8A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S12010PM
DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020BM
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-PGlobal Power Technology-GPT -
G4S12020A
DIODE SIL CARB 1.2KV 73A TO220ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06510JT
DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISOGlobal Power Technology-GPT -
G4S06510PT
DIODE SIC 650V 31.2A TO247ACGlobal Power Technology-GPT -
G4S06510QT
DIODE SIL CARB 650V 44.9A 4DFNGlobal Power Technology-GPT -
G4S06515DT
DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263Global Power Technology-GPT -
G4S12020PM
DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247ACGlobal Power Technology-GPT