Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ανορθωτές - συστοιχίες > G5S12010BM
Global Power Technology-GPT

G5S12010BM

Αριθμός μέρους κατασκευαστή G5S12010BM
Κατασκευαστής Global Power Technology-GPT
Λεπτομερής περιγραφή SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Πακέτο TO-247AB
Σε απόθεμα 7659 pcs
Φύλλο δεδομένων G5S12010BM
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10
$5.353 $4.919
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technology-GPT.Έχουμε τα 7659 κομμάτια του Global Power Technology-GPT G5S12010BM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν 1.7 V @ 5 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) 1200 V
Τεχνολογία SiC (Silicon Carbide) Schottky
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247AB
Ταχύτητα No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά -
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) 0 ns
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Cut Tape (CT)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση -55°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Διαμόρφωση δίοδος 1 Pair Common Cathode
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr 50 µA @ 1200 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode) 19.35A (DC)

Συνιστώμενα προϊόντα

G5S12010BM Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το G5S12010BM

Σχετικά μέρη για το G5S12010BM