Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

GP1M003A080PH

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	GP1M003A080PH
Κατασκευαστής	Global Power Technologies Group
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Πακέτο	I-PAK
Σε απόθεμα	3885 pcs
Φύλλο δεδομένων	GP1M003A080xH

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technologies Group.Έχουμε τα 3885 κομμάτια του Global Power Technologies Group GP1M003A080PH σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I-PAK
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	94W (Tc)
Συσκευασία	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	696pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	19nC @ 10V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

GP1M003A090PH ~~MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A050H ~~MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A040CG ~~MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A050FSH ~~MOSFET N-CH 500V 4A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A050PG ~~MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A080CH ~~MOSFET N-CH 800V 3A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A080H ~~MOSFET N-CH 800V 3A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M004A090H ~~MOSFET N-CH 900V 4A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A050CH ~~MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A040CG ~~MOSFET N-CH 400V 2A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1L57 ~~SENSOR OPT SLOT DARL PCB MOUNT~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP1M004A090FH ~~MOSFET N-CH 900V 4A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A050HG ~~MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A050CG ~~MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A090C ~~MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A040PG ~~MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A040PG ~~MOSFET N-CH 400V 2A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A080FH ~~MOSFET N-CH 800V 3A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M005A050FH ~~MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M003A050FG ~~MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~