Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

GP1M016A060N

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	GP1M016A060N
Κατασκευαστής	Global Power Technologies Group
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
Πακέτο	TO-3PN
Σε απόθεμα	5617 pcs
Φύλλο δεδομένων	GP1M016A060N

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technologies Group.Έχουμε τα 5617 κομμάτια του Global Power Technologies Group GP1M016A060N σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-3PN
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	470 mOhm @ 8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	312W (Tc)
Συσκευασία	Tube
Συσκευασία / υπόθεση	TO-3P-3, SC-65-3
Αλλα ονόματα	1560-1188-1 1560-1188-1-ND 1560-1188-5
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3039pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	53nC @ 10V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 600V 16A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

GP1M020A060M ~~MOSFET N-CH 600V 20A TO3P~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A025PG ~~MOSFET N-CH 250V 16A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M018A020PG ~~MOSFET N-CH 200V 18A IPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A025FG ~~MOSFET N-CH 250V 16A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M020A050N ~~MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1S092HCPI ~~SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP1M016A060FH ~~MOSFET N-CH 600V 16A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A060H ~~MOSFET N-CH 600V 16A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M020A060N ~~MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A025CG ~~MOSFET N-CH 250V 16A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1S036HEZ ~~SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP1M013A050H ~~MOSFET N-CH 500V 13A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M018A020CG ~~MOSFET N-CH 200V 18A DPAK~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M018A020FG ~~MOSFET N-CH 200V 18A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M015A050H ~~MOSFET N-CH 500V 14A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A060F ~~MOSFET N-CH 600V 16A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M023A050N ~~MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M016A025HG ~~MOSFET N-CH 250V 16A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M018A020HG ~~MOSFET N-CH 200V 18A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP1M015A050FH ~~MOSFET N-CH 500V 14A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~