Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

GP2M020A050N

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	GP2M020A050N
Κατασκευαστής	Global Power Technologies Group
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
Πακέτο	TO-3PN
Σε απόθεμα	4336 pcs
Φύλλο δεδομένων	GP2M020A050N

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Global Power Technologies Group.Έχουμε τα 4336 κομμάτια του Global Power Technologies Group GP2M020A050N σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-3PN
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	312W (Tc)
Συσκευασία	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-3P-3, SC-65-3
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	44nC @ 10V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	500V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 500V 20A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

GP2M010A060H ~~MOSFET N-CH 600V 10A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M012A060H ~~MOSFET N-CH 600V 12A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M023A050N ~~MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M020A050H ~~MOSFET N-CH 500V 18A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2S24CJ000F ~~PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2S+ ~~RF PWR DVDR 800MHZ-2.1GHZ 12VQFN~~ ~~Mini-Circuits~~
GP2M011A090NG ~~MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2S1+ ~~RF PWR DVDR 500MHZ-2.5GHZ 12VQFN~~ ~~Mini-Circuits~~
GP2S24ABJ00F ~~PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2M020A050F ~~MOSFET N-CH 500V 18A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2S24 ~~PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2M013A050F ~~MOSFET N-CH 500V 13A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2S24J0000F ~~PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2M010A065F ~~MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2S24BJ000F ~~PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2S24BCJ00F ~~PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3~~ ~~Sharp Microelectronics~~
GP2M012A060F ~~MOSFET N-CH 600V 12A TO220F~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M020A060N ~~MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M010A065H ~~MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220~~ ~~Global Power Technologies Group~~
GP2M012A080NG ~~MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN~~ ~~Global Power Technologies Group~~