Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP2T080A120U
SemiQ

GP2T080A120U

Αριθμός μέρους κατασκευαστή GP2T080A120U
Κατασκευαστής SemiQ
Λεπτομερής περιγραφή SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Πακέτο TO-247-3
Σε απόθεμα 12799 pcs
Φύλλο δεδομένων GP2T080A120UGP2T080 01-Aug-22
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$4.678 $4.226 $3.499 $3.047 $2.654
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς SemiQ.Έχουμε τα 12799 κομμάτια του SemiQ GP2T080A120U σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Vgs (Max) +25V, -10V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247-3
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max) 188W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1377 pF @ 1000 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 58 nC @ 20 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης GP2T080A

Συνιστώμενα προϊόντα

GP2T080A120U Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων