TP44100SG

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	TP44100SG
Κατασκευαστής	Tagore Technology
Λεπτομερής περιγραφή	GAN FET HEMT 650V .09OHM 22QFN
Πακέτο	22-QFN (5x7)
Σε απόθεμα	15865 pcs
Φύλλο δεδομένων	TP44100SG

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1
$2.578

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Tagore Technology.Έχουμε τα 15865 κομμάτια του Tagore Technology TP44100SG σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.7V @ 11mA (Typ)
Vgs (Max)	-
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	22-QFN (5x7)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 500mA, 6V
Έκλυση ενέργειας (Max)	-
Συσκευασία / υπόθεση	22-PowerVFQFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	3 nC @ 6 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	0V, 6V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	13.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	TP44100