Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

1N4006GHB0G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	1N4006GHB0G
Κατασκευαστής	Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή	DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Πακέτο	DO-204AL (DO-41)
Σε απόθεμα	4984 pcs
Φύλλο δεδομένων	1N4001G - 1N4007G

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Taiwan Semiconductor Corporation.Έχουμε τα 4984 κομμάτια του Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GHB0G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν	1 V @ 1 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)	800 V
Τεχνολογία	Standard
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	DO-204AL (DO-41)
Ταχύτητα	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Συσκευασία / υπόθεση	DO-204AL, DO-41, Axial

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση	-55°C ~ 150°C
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr	5 µA @ 800 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)	1A
Χωρητικότητα @ VR, F	10pF @ 4V, 1MHz
Αριθμός προϊόντος βάσης	1N4006

Συνιστώμενα προϊόντα

1N4006GH ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006GP-TP ~~Interface~~ ~~Micro Commercial Co~~
1N4006G R1G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006G BK ~~DIODE GEN PURPOSE DO41~~ ~~Central Semiconductor Corp~~
1N4006GP-E3/54 ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division~~
1N4006GHR1G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006GP-M3/73 ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division~~
1N4006GL-T ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO41~~ ~~Diodes Incorporated~~
1N4006G A0G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006GHR0G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~TSC (Taiwan Semiconductor)~~
1N4006G R0G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~TSC (Taiwan Semiconductor)~~
1N4006GP ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO41~~ ~~onsemi~~
1N4006GPE-M3/54 ~~DIODE GEN PURPOSE DO-204AL~~ ~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division~~
1N4006G-T ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO41~~ ~~Diodes Incorporated~~
1N4006G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO41~~ ~~SMC Diode Solutions~~
1N4006GA0 ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006GP-E3/73 ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division~~
1N4006GHA0G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~
1N4006GP-M3/54 ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division~~
1N4006G B0G ~~DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL~~ ~~Taiwan Semiconductor Corporation~~