ESH3B
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | ESH3B |
---|---|
Κατασκευαστής | Taiwan Semiconductor Corporation |
Λεπτομερής περιγραφή | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Πακέτο | DO-214AB (SMC) |
Σε απόθεμα | 578389 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Mult Dev Pkg/Status Chgs 5/Feb/2021Part Number Update 1/Jan/2021ESH3B - ESH3D |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
3000 | 6000 | 15000 |
---|---|---|
$0.08 | $0.075 | $0.075 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Taiwan Semiconductor Corporation.Έχουμε τα 578389 κομμάτια του Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 100 V |
Τεχνολογία | Standard |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | DO-214AB (SMC) |
Ταχύτητα | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Σειρά | - |
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | 20 ns |
Συσκευασία / υπόθεση | DO-214AB, SMC |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 175°C |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) | 3A |
Χωρητικότητα @ VR, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Αριθμός προϊόντος βάσης | ESH3 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
ESH3B M6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH338M6R3AL3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH3B R6
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH338M010AL4AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH338M010AL3AA
CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIALKEMET -
ESH3B-E3/57T
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH3B-E3/9AT
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ESH338M016AM7AA
CAP ALUM 3300UF 20% 16V RADIALKEMET -
ESH3B R6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH3B V6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTSC (Taiwan Semiconductor) -
ESH338M035AN2AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH338M025AM2AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH338M050AN2AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH338M016AM7EA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH3B R7G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH337M6R3AE3EA
CAP ALUM RAD 105CKEMET -
ESH3B M6
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH3B R7
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH3B V7G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABTaiwan Semiconductor Corporation -
ESH337M6R3AE3AA
CAP ALUM RAD 105CKEMET