Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > 2SK3906(Q)
2SK3906(Q) Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

2SK3906(Q)

Αριθμός μέρους κατασκευαστή 2SK3906(Q)
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Πακέτο TO-3P(N)
Σε απόθεμα 4309 pcs
Φύλλο δεδομένων 2SK3906Mosfets Prod Guide
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 4309 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906(Q) σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3P(N)
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 60 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης 2SK3906

Συνιστώμενα προϊόντα

2SK3906(Q) Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων