Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > GT30J65MRB,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J65MRB,S1E

Αριθμός μέρους κατασκευαστή GT30J65MRB,S1E
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
Πακέτο TO-3P(N)
Σε απόθεμα 89858 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.9 $0.809 $0.65 $0.534 $0.443 $0.412 $0.397
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 89858 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1E σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) 650 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
Test Condition 400V, 15A, 56Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C 75ns/400ns
εναλλαγή Ενέργειας 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3P(N)
Σειρά -
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) 200 ns
Ισχύς - Max 200 W
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Συσκευασία / υπόθεση TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Τύπος εισόδου Standard
IGBT Τύπος -
πύλη Χρέωση 70 nC
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) 60 A
Αριθμός προϊόντος βάσης GT30J65

Συνιστώμενα προϊόντα

GT30J65MRB,S1E Φύλλο δεδομένων PDF