RN1107MFV,L3XHF(CT
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | RN1107MFV,L3XHF(CT |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Λεπτομερής περιγραφή | AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER= |
| Πακέτο | VESM |
| Σε απόθεμα | 1657981 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.131 | $0.107 | $0.057 | $0.037 | $0.025 | $0.023 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 1657981 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV,L3XHF(CT σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50 V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| transistor Τύπος | NPN - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | VESM |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101 |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 47 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 10 kOhms |
| Ισχύς - Max | 150 mW |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Συσκευασία / υπόθεση | SOT-723 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100 mA |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | RN1107 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
RN1108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BERToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1109,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1106CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1108ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1109,LXHF(CT
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1109ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1107CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1107ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1109(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1107,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and Storage -
RN1108,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, Q1BER=Toshiba Semiconductor and Storage