RN1703JE(TE85L,F)
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | RN1703JE(TE85L,F) |
---|---|
Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
Λεπτομερής περιγραφή | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
Πακέτο | ESV |
Σε απόθεμα | 1331136 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.167 | $0.123 | $0.07 | $0.046 | $0.035 | $0.031 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 1331136 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage RN1703JE(TE85L,F) σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V |
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistor Τύπος | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | ESV |
Σειρά | - |
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 22kOhms |
Αντίσταση - Βάση (R1) | 22kOhms |
Ισχύς - Max | 100mW |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Συσκευασία / υπόθεση | SOT-553 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Συχνότητα - Μετάβαση | 250MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 100nA (ICBO) |
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA |
Αριθμός προϊόντος βάσης | RN1703 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
RN1701,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1708,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1609(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1706,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KOToshiba Semiconductor and Storage -
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN1708JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN1611(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1705JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KOToshiba Semiconductor and Storage -
RN1608(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1702JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1703,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1707,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1673(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1702,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1704JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6Toshiba Semiconductor and Storage