RN1910FE(T5L,F,T)
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | RN1910FE(T5L,F,T) |
---|---|
Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
Λεπτομερής περιγραφή | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Πακέτο | ES6 |
Σε απόθεμα | 5364 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 5364 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T) σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V |
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistor Τύπος | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | ES6 |
Σειρά | - |
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | - |
Αντίσταση - Βάση (R1) | 4.7kOhms |
Ισχύς - Max | 100mW |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Συσκευασία / υπόθεση | SOT-563, SOT-666 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Συχνότητα - Μετάβαση | 250MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 100nA (ICBO) |
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA |
Αριθμός προϊόντος βάσης | RN1910 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
RN1908,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=2Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1909,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1908FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETRToshiba Semiconductor and Storage -
RN1909,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1909(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911FE,LF(CT
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=IToshiba Semiconductor and Storage -
RN1961FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NPToshiba Semiconductor and Storage -
RN1909FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETRToshiba Semiconductor and Storage -
RN1909FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1908FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.KToshiba Semiconductor and Storage -
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Toshiba Semiconductor and Storage -
RN1910FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETRToshiba Semiconductor and Storage