Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολικό (BJT) - Ενιαίο, προ -προκατειλημμένο > RN2316(TE85L,F)
RN2316(TE85L,F) Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

RN2316(TE85L,F)

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RN2316(TE85L,F)
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Πακέτο USM
Σε απόθεμα 3743848 pcs
Φύλλο δεδομένων RN2314-18
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
3000 6000 15000 30000 75000 150000
$0.019 $0.017 $0.014 $0.013 $0.013 $0.011
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 3743848 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage RN2316(TE85L,F) σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) 50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος PNP - Pre-Biased
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή USM
Σειρά -
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) 10 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1) 4.7 kOhms
Ισχύς - Max 100mW
Συσκευασία Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση SC-70, SOT-323
Αλλα ονόματα RN2316(TE85LF)
RN2316(TE85LF)-ND
RN2316(TE85LF)TR
RN2316TE85LF
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) 1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time 16 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση 200MHz
Λεπτομερής περιγραφή Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) 500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) 100mA
Αριθμός μέρους βάσης RN231*

Συνιστώμενα προϊόντα

RN2316(TE85L,F) Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων