Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολικά (BJT) - συστοιχίες, προ -προκατειλημμένα > RN4982FE,LF(CB
RN4982FE,LF(CB Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

RN4982FE,LF(CB

Αριθμός μέρους κατασκευαστή RN4982FE,LF(CB
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Πακέτο ES6
Σε απόθεμα 2966292 pcs
Φύλλο δεδομένων RN4982FE
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
4000 8000 12000 28000 100000
$0.02 $0.017 $0.015 $0.014 $0.011
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 2966292 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE,LF(CB σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) 50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή ES6
Σειρά -
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) 10 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1) 10 kOhms
Ισχύς - Max 100mW
Συσκευασία Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση SOT-563, SOT-666
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Αλλα ονόματα RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FE(T5LFT)TR
RN4982FE(T5LFT)TR-ND
RN4982FE,LF(CT
RN4982FELF(CBTR
RN4982FELF(CTTR
RN4982FELF(CTTR-ND
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) 1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time 16 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση 250MHz
Λεπτομερής περιγραφή Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) 100nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) 100mA

Συνιστώμενα προϊόντα

RN4982FE,LF(CB Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων