TJ80S04M3L(T6L1,NQ
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK |
| Πακέτο | DPAK+ |
| Σε απόθεμα | 143875 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015TJ80S04M3L |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.515 | $0.46 | $0.359 | $0.296 | $0.234 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 143875 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L(T6L1,NQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | DPAK+ |
| Σειρά | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 100W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7770 pF @ 10 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | TJ80S04 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SQJ422EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
TJ8S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 8A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
GP2M002A065FG
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220FGlobal Power Technologies Group -
2SK3354(0)-Z-E1-AY
2SK3354 - Nch Single Power MosfeRenesas -
P3M12040K3
SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3PN Junction Semiconductor -
IRFBF20S
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAKVishay Siliconix -
TJ80S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 80A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SOInfineon Technologies -
AUIRF3205ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKInternational Rectifier -
IRF8302MTR1PBF
MOSFET N CH 30V 31A MXInfineon Technologies -
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220Fonsemi -
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FASTVishay Siliconix -
IRFR2905ZTRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAKInfineon Technologies -
IRF510STRL
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKVishay Siliconix -
NTMFS4931NT3G
MOSFET N-CH 30V 236A SO8FLAMI Semiconductor / ON Semiconductor -
BUK7M5R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33Nexperia USA Inc. -
SSW7N60BTM
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
NTMFS4C024NT1G
MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFNonsemi -
CSD17551Q5A
MOSFET N-CH 30V 48A 8VSONN/A