Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK100E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E06N1,S1X

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK100E06N1,S1X
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Πακέτο TO-220
Σε απόθεμα 88572 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.981 $0.88 $0.707 $0.581 $0.482 $0.448 $0.432
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 88572 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220
Σειρά U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 255W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 140 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης TK100E06

Συνιστώμενα προϊόντα

TK100E06N1,S1X Φύλλο δεδομένων PDF