Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK12Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12Q60W,S1VQ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK12Q60W,S1VQ
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Πακέτο I-PAK
Σε απόθεμα 139828 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.741 $0.667 $0.536 $0.44 $0.365 $0.34 $0.327 $0.316
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 139828 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W,S1VQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή I-Pak
Σειρά DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 5.8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 100W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 300 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 25 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης TK12Q60

Συνιστώμενα προϊόντα

TK12Q60W,S1VQ Φύλλο δεδομένων PDF