Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK28E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK28E65W,S1X

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK28E65W,S1X
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Πακέτο TO-220
Σε απόθεμα 37145 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$2.096 $1.883 $1.543 $1.313 $1.107 $1.052
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 37145 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W,S1X σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.6mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220
Σειρά DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 13.8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 230W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 75 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 27.6A (Ta)

Συνιστώμενα προϊόντα

TK28E65W,S1X Φύλλο δεδομένων PDF