Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK39N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W,S1VF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK39N60W,S1VF
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Πακέτο TO-247
Σε απόθεμα 31682 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$2.236 $2.008 $1.645 $1.401 $1.181 $1.122
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 31682 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247
Σειρά DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 19.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 270W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 300 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 110 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 38.8A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης TK39N60

Συνιστώμενα προϊόντα

TK39N60W,S1VF Φύλλο δεδομένων PDF