Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK8R2E06PL,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8R2E06PL,S1X

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK8R2E06PL,S1X
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Πακέτο TO-220
Σε απόθεμα 217483 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.45 $0.404 $0.315 $0.26 $0.205 $0.191 $0.182 $0.175
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 217483 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL,S1X σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220
Σειρά U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 81W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 28 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

TK8R2E06PL,S1X Φύλλο δεδομένων PDF