Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 6612 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM) σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
8-SOP (5.5x6.0)
Σειρά
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)
1W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο
Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος
Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
2265 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
38 nC @ 10 V
FET Τύπος
N-Channel
FET Χαρακτηριστικό
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
18A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης
TPC8018
Συνιστώμενα προϊόντα
TPC8012-H(TE12L,Q)MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8.2AHM3/86ATVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8035-H(TE12L,QMMOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8021-H(TE12LQ,MMOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC7.5HM3/86ATVS DIODE 6.05VWM 11.7VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8014(TE12L,Q,M)MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8.2HM3/87ATVS DIODE 6.63VWM 12.5VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8.2AHM3_A/HTVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8042(TE12L,Q,M)MOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8.2AHM3_A/ITVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8031-H(TE12LQM)MOSFET N-CH 30V 11A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8033-H(TE12LQM)MOSFET N-CH 30V 17A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8036-H(TE12L,QMMOSFET N-CH 30V 18A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8032-H(TE12LQM)MOSFET N-CH 30V 15A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8038-H(TE12L,Q)MOSFET N-CH 30V 12A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8022-H(TE12LQ,MMOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC8.2HM3/86ATVS DIODE 6.63VWM 12.5VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8026(TE12L,Q,M)MOSFET N-CH 30V 13A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage
TPC7.5HM3/87ATVS DIODE 6.05VWM 11.7VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
TPC8.2AHM3/87ATVS DIODE 7.02VWM 12.1VC TO277AVishay General Semiconductor - Diodes Division
