TPHR6503PL,L1Q
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | TPHR6503PL,L1Q |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP |
| Πακέτο | 8-SOP Advance (5x5) |
| Σε απόθεμα | 135594 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.725 | $0.653 | $0.525 | $0.431 | $0.357 | $0.332 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 135594 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL,L1Q σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-SOP Advance (5x5) |
| Σειρά | U-MOSIX-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | TPHR6503 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS250-EAV
FUSE HLDR BLADEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHR9003NL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS250-M
FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS800-EL
FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHR8504PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPHR6503PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS250-EL
FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS800-M
FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS250-ML
FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS800-EAV
FUSE HLDR BLADEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS800-MAV
FUSE HLDR BLADEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS800-ML
FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHCS250-MAV
FUSE HLDR BLADEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHR9203PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS250-P
FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHR7904PB,L1XHQ
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS800-P
FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division -
TPHR9203PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPHCS800-E
FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASSEaton - Bussmann Electrical Division