Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPW2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW2900ENH,L1Q

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TPW2900ENH,L1Q
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Πακέτο 8-DSOP Advance
Σε απόθεμα 87097 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$1.165 $1.048 $0.842 $0.692 $0.573 $0.534
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 87097 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH,L1Q σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-DSOP Advance
Σειρά U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 16.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 8-PowerWDFN
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 22 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

TPW2900ENH,L1Q Φύλλο δεδομένων PDF