Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > TRS12E65F,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65F,S1Q

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TRS12E65F,S1Q
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Πακέτο TO-220-2L
Σε απόθεμα 31742 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$1.941 $1.742 $1.427 $1.215 $1.066
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 31742 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65F,S1Q σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν 1.7 V @ 12 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) 650 V
Τεχνολογία SiC (Silicon Carbide) Schottky
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220-2L
Ταχύτητα No Recovery Time > 500mA (Io)
Σειρά -
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) 0 ns
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-2
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση 175°C (Max)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr 90 µA @ 650 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) 12A
Χωρητικότητα @ VR, F 65pF @ 650V, 1MHz
Αριθμός προϊόντος βάσης TRS12E65

Συνιστώμενα προϊόντα

TRS12E65F,S1Q Φύλλο δεδομένων PDF