TW060N120C,S1F

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	TW060N120C,S1F
Κατασκευαστής	Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Πακέτο	TO-247
Σε απόθεμα	6418 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$7.629	$7.013	$5.923	$5.269

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 6418 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C,S1F σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4.2mA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-247
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 18A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max)	170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-247-3
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	175°C
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1530 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	46 nC @ 18 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)