Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TW107N65C,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TW107N65C,S1F

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TW107N65C,S1F
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Πακέτο TO-247
Σε απόθεμα 19318 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$3.938 $3.558 $2.946 $2.565 $2.234
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 19318 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C,S1F σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.2mA
Vgs (Max) +25V, -10V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-247
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 10A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max) 76W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 21 nC @ 18 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

TW107N65C,S1F Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το TW107N65C,S1F

Σχετικά μέρη για το TW107N65C,S1F