Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TP65H070G4PS
Transphorm

TP65H070G4PS

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TP65H070G4PS
Κατασκευαστής Transphorm
Λεπτομερής περιγραφή GANFET N-CH 650V 29A TO220
Πακέτο TO-220AB
Σε απόθεμα 17103 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$3.554 $3.211 $2.659 $2.315 $2.017 $1.942
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Transphorm.Έχουμε τα 17103 κομμάτια του Transphorm TP65H070G4PS σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.7V @ 700µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220AB
Σειρά SuperGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 96W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 638 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 9 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

TP65H070G4PS Φύλλο δεδομένων PDF