TPD3215M

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	TPD3215M
Κατασκευαστής	Transphorm
Λεπτομερής περιγραφή	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Πακέτο	Module
Σε απόθεμα	6144 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Devices EOL 02/Apr/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Transphorm.Έχουμε τα 6144 κομμάτια του Transphorm TPD3215M σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Τεχνολογία	GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	Module
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 30A, 8V
Ισχύς - Max	470W
Συσκευασία / υπόθεση	Module
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2260pF @ 100V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	28nC @ 8V
FET Χαρακτηριστικό	-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Half Bridge)
Αριθμός προϊόντος βάσης	TPD3215