1N6479-E3/96
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1
10
100
500
$0.167
$0.134
$0.091
$0.068
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay General Semiconductor - Diodes Division.Έχουμε τα 588969 κομμάτια του Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479-E3/96 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
1.1 V @ 1 A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
100 V
Τεχνολογία
Standard
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
DO-213AB
Ταχύτητα
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Σειρά
SUPERECTIFIER®
Συσκευασία / υπόθεση
DO-213AB, MELF (Glass)
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Πακέτο
Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος
Surface Mount
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
10 µA @ 100 V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
1A
Χωρητικότητα @ VR, F
8pF @ 4V, 1MHz
Αριθμός προϊόντος βάσης
1N6479
Συνιστώμενα προϊόντα
1N6474USE3/TR
UNI-DIRECTIONAL TVS
Microchip Technology
1N6478HE3/97
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6476
TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC AXIAL
Microchip Technology
1N647UR-1
DIODE GP 400V 400MA DO213AA
Microchip Technology
1N6480-E3/96
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N648/TR
DIODE GP REV 500V 400MA DO35
Microchip Technology
1N6476US
TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF
Microchip Technology
1N6479HE3/96
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6478-E3/97
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6479-E3/97
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6475US
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-MELF
Microchip Technology
1N6474USE3
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIAL
Microchip Technology
1N6478HE3/96
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6478-E3/96
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N647UR-1/TR
DIODE GP 400V 400MA DO213AA
Microchip Technology
1N648-1
DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
Microchip Technology
1N648
DIODE GEN PURP 500V DO35
Microchip Technology
1N6475
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC AXIAL
Microchip Technology
1N6480-E3/97
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6479HE3/97
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6479-E3/96 Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων