SI2336DS-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI2336DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
| Πακέτο | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σε απόθεμα | 456843 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2336DS |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.191 | $0.162 | $0.121 | $0.095 | $0.074 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 456843 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2336DS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SI2336 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2337DS-T1-BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2342DS-T1-BE3
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2335DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2338DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2335DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2336DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23Vishay Siliconix -
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23Vishay Siliconix -
SI2343CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23Vishay Siliconix -
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2333DS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2341DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix