Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI4101DY-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI4101DY-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Πακέτο	8-SOIC
Σε απόθεμα	237407 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI4101DY-T1-GE3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.33	$0.289	$0.221	$0.175	$0.14

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 237407 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SOIC
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	6W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	8190 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	203 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	25.7A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI4101