Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4276DY-T1-GE3
SI4276DY-T1-GE3 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI4276DY-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI4276DY-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Πακέτο 8-SOIC
Σε απόθεμα 4825 pcs
Φύλλο δεδομένων PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013SI4276DY
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4825 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4276DY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-SOIC
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
Ισχύς - Max 3.6W, 2.8W
Συσκευασία / υπόθεση 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 8A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI4276

Συνιστώμενα προϊόντα

SI4276DY-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων