Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI4511DY-T1-E3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI4511DY-T1-E3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Πακέτο 8-SOIC
Σε απόθεμα 5764 pcs
Φύλλο δεδομένων SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014SI4511DY
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5764 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4511DY-T1-E3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-SOIC
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Ισχύς - Max 1.1W
Συσκευασία / υπόθεση 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο Cut Tape (CT)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 7.2A, 4.6A
Διαμόρφωση N and P-Channel
Αριθμός προϊόντος βάσης SI4511

Συνιστώμενα προϊόντα

SI4511DY-T1-E3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων