Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4800BDY-T1-GE3
SI4800BDY-T1-GE3 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI4800BDY-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI4800BDY-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Πακέτο 8-SOIC
Σε απόθεμα 230567 pcs
Φύλλο δεδομένων New Solder Plating Site 18/Apr/2023Si4800BDY
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.335 $0.293 $0.225 $0.178 $0.142
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 230567 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-SOIC
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 1.3W (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 13 nC @ 5 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI4800

Συνιστώμενα προϊόντα

SI4800BDY-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων