Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI5857DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI5857DU-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Πακέτο PowerPAK® ChipFET™ Single
Σε απόθεμα 4191 pcs
Φύλλο δεδομένων SI5857DU
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4191 κομμάτια του Vishay Siliconix SI5857DU-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® ChipFET™ Single
Σειρά LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® ChipFET™ Single
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 17 nC @ 10 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό Schottky Diode (Isolated)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI5857

Συνιστώμενα προϊόντα

SI5857DU-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων