Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI5997DU-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Πακέτο PowerPAK® ChipFet Dual
Σε απόθεμα 6858 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 14/Mar/2018SI5997DU-T1-GE3
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 6858 κομμάτια του Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® ChipFet Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3A, 10V
Ισχύς - Max 10.4W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® ChipFET™ Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 6A
Διαμόρφωση 2 P-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI5997

Συνιστώμενα προϊόντα

SI5997DU-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων